0–50 V 0–5000 A polikristāliskā silīcija barošanas avota piedāvātais attēls

0~50V 0~5000A polikristāliskā silīcija barošanas avots

Produkta apraksts:

Specifikācijas:

Ievades parametri: 3 fāzes, AC480V±10% ,60HZ

Izejas parametri: DC 0~50V 0~5000A

Izvades režīms: kopējā līdzstrāvas izeja

Dzesēšanas metode: gaisa dzesēšana / ūdens dzesēšana

Barošanas avota veids: uz IGBT bāzes

Pielietojuma nozare: polikristāliskā silīcija samazināšanas krāsns spiediens un samazināšana, kristālu augšana

Preces izmērs: 87*82,5*196cm

Neto svars: 460 kg

Nosūtiet mums e-pastu

Specifikācija
Jaucējkrāna veids	Vannas istabas izlietnes jaucējkrāni,
Instalācijas veids	centra komplekts,
Uzstādīšanas caurumi	Viens caurums,
Rokturu skaits	Viens rokturis,
Pabeigt	Ti-PVD,
Stils	valsts,
Plūsmas ātrums	1,5 GPM (5,7 l/min) maks.
Vārsta tips	Keramikas vārsts,
Aukstā un karstā slēdzis	Jā,
Izmēri
Kopējais augstums	240 mm (9,5 collas),
Iztekas augstums	155 mm (6,1 collas),
Iztekas garums	160 mm (6,3 collas),
Jaucējkrānu centrs	Viens caurums,
Materiāls
Jaucējkrāna korpusa materiāls	misiņš,
Jaucējkrāna iztekas materiāls	misiņš,
Jaucējkrāna roktura materiāls	misiņš,
Informācija par piederumiem
Vārsts iekļauts	Jā,
Komplektā noteka	Nē,
Svari
Neto svars (kg)	0,99,
Piegādes svars (kg)	1,17,

funkciju

Ievades parametri

Maiņstrāvas ieeja 480v±10% 3 fāze
Izvades parametri

DC 0-50V 0-5000A nepārtraukti regulējams
Izejas jauda

250 kW
Dzesēšanas metode

piespiedu gaisa dzesēšana / ūdens dzesēšana
PLC analogais

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Interfeiss

RS485/RS232
Vadības režīms

tālvadības pults dizains
Ekrāna displejs

digitālais displejs
Vairākas aizsardzības

trūkums fāzes pārkaršana pārsprieguma pārsprieguma īssavienojums
Kontroles veids

PLC/ mikrokontrolleris

Modelis un dati

Modeļa numurs	Izvades pulsācija	Pašreizējā displeja precizitāte	Voltu displeja precizitāte	CC/CV precizitāte	Uzbraukšana un nolaišanās	Pāršauts
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Produktu lietojumprogrammas

Polisilīcija ir elementārā silīcija forma.Kad izkausētais elementārais silīcijs sacietē pārdzesēšanas apstākļos, silīcija atomi tiek sakārtoti daudzos kristāla kodolos dimanta režģa formā.Ja šie kristāla kodoli izaug graudos ar atšķirīgu kristāla plaknes orientāciju, tad šie graudi apvienojas, lai kristalizētos polikristāliskā silīcijā.